RN55D4750FB14

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RN55D4750FB14中文资料参数规格
技术参数

额定功率 125 mW

电阻 475 Ω

阻值偏差 ±1 %

额定电压 200 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 Axial Leaded

外形尺寸

封装 Axial Leaded

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

温度系数 ±100 ppm/℃

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买RN55D4750FB14
型号: RN55D4750FB14
描述:VISHAY  RN55D4750FB14  金属膜电阻, 475Ω, 125mW, 1%
替代型号RN55D4750FB14
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Vishay Semiconductor 威世

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RN55D4750F

International Resistive

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