容差 ±1 %
额定功率 125 mW
电阻 1 kΩ
阻值偏差 ±1 %
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 200 V
安装方式 Through Hole
封装 Axial Leaded
长度 7.37 mm
工作温度 -65℃ ~ 175℃
温度系数 ±100 ppm/℃
RoHS标准 Non-Compliant
军工级 Yes
数据手册
RN55D1001FB14
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
RN55D1001FRE6
威世
完全替代
RN55D1001F
International Resistive
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