RS02BR1000FE12参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RS02BR1000FE12中文资料参数规格

技术参数

容差 ±1 %

额定功率 3 W

电阻 0.1 Ω

阻值偏差 ±1 %

工作温度Max 350 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 Axial Leaded

外形尺寸

长度 15.8 mm

高度 14.22 mm

封装 Axial Leaded

物理参数

温度系数 ±90 ppm/℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买RS02BR1000FE12

型号： RS02BR1000FE12

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY RS02BR1000FE12 绕线电阻, 0.1欧姆 1% 3W

替代型号RS02BR1000FE12

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RS02BR1000FE12 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
WHDR10FET Ohmite	类似代替	RS02BR1000FE12和WHDR10FET的区别
23JR10E Ohmite	功能相似	RS02BR1000FE12和23JR10E的区别
MCKNP03UJ010KB00 Multicomp	功能相似	RS02BR1000FE12和MCKNP03UJ010KB00的区别