RLZTE-116.8A参数规格_中文资料_数据手册PDF

RLZTE-116.8A概述

电压调节玻璃封装型。（LLDS）高可靠性。齐纳二极管

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min. | 6.29V \---|--- 平均Typ. | 最大max. | 6.63V 误差Tolerance | 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance | 8Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 2uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Voltage regulation Grass seald envelope. LLDS High reliability. Zener diode 描述与应用 | 电压调节玻璃封装型。（LLDS）高可靠性。齐纳

得捷:
DIODE ZENER 6.8V 500MW LLDS

贸泽:
稳压二极管 DIODE ZENER SNGL 3% 500MW 2PIN

RLZTE-116.8A中文资料参数规格

技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

稳压值 6.8 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LL-34-2

外形尺寸

长度 3.4 mm

封装 LL-34-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RLZTE-116.8A

型号： RLZTE-116.8A

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：电压调节玻璃封装型。（LLDS）高可靠性。齐纳二极管

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替代型号RLZTE-116.8A

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