RLZTE-1112A参数规格_中文资料_数据手册PDF

RLZTE-1112A概述

电压调节玻璃封装型。（LLDS）高可靠性。齐纳二极管

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min. | 11.13V \---|--- 平均Typ. | 最大max. | 11.71V 误差Tolerance | 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance | 12Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.2uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 0.5W/500mW Description & Applications | Voltage regulation Grass seald envelope. LLDS High reliability. Zener diode 描述与应用 | 电压调节玻璃封装型。（LLDS）高可靠性。齐纳

得捷:
DIODE ZENER 12V 500MW LLDS

Win Source:
DIODE ZENER 12V 500MW LLDS

RLZTE-1112A中文资料参数规格

技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

稳压值 12 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Mini-MELF

外形尺寸

封装 Mini-MELF

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RLZTE-1112A

型号： RLZTE-1112A

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：电压调节玻璃封装型。（LLDS）高可靠性。齐纳二极管

立即咨询

替代型号RLZTE-1112A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RLZTE-1112A ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
RLZTE-114.7A 罗姆半导体	类似代替	RLZTE-1112A和RLZTE-114.7A的区别
RLZTE-115.1A 罗姆半导体	类似代替	RLZTE-1112A和RLZTE-115.1A的区别
RLZTE-115.6A 罗姆半导体	类似代替	RLZTE-1112A和RLZTE-115.6A的区别