RLZTE-1116B参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RLZTE-1116B概述

稳压二极管 DIODE ZENER 15.645V 500MW

- 齐纳 ±3% 表面贴装型 LLDS

得捷:
DIODE ZENER 16V 500MW LLDS

贸泽:
稳压二极管 DIODE ZENER 15.645V 500MW

Win Source:
DIODE ZENER 16V 500MW LLDS

RLZTE-1116B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

测试电流 10 mA

稳压值 16 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Mini-MELF

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.5 mm

封装 Mini-MELF

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RLZTE-1116B

型号： RLZTE-1116B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：稳压二极管 DIODE ZENER 15.645V 500MW

替代型号RLZTE-1116B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RLZTE-1116B ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
RLZTE-115.1B 罗姆半导体	功能相似	RLZTE-1116B和RLZTE-115.1B的区别
BZT52C5V6-TP 美微科	功能相似	RLZTE-1116B和BZT52C5V6-TP的区别
BZT52C5V6-TP-HF 美微科	功能相似	RLZTE-1116B和BZT52C5V6-TP-HF的区别