RLZTE-116.8B

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RLZTE-116.8B概述

电压调节玻璃封装型。 (LLDS)高可靠性。齐纳二极管

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min. | 6.49V \---|--- 平均Typ. | 6.8V 最大max. | 6.83V 误差Tolerance | 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance | 8Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 2uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Voltage regulation Grass seald envelope. LLDS High reliability. Zener diode 描述与应用 | 电压调节 玻璃封装型。 (LLDS) 高可靠性。 齐纳


得捷:
DIODE ZENER 6.8V 500MW LLDS


安富利:
Diode Zener Single 6.66V 3% 500mW 2-Pin LLDS T/R


Chip1Stop:
Diode Zener Single 6.66V 3% 500mW 2-Pin LLDS T/R


RLZTE-116.8B中文资料参数规格
技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

测试电流 20 mA

稳压值 6.8 V

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 Mini-MELF

外形尺寸

封装 Mini-MELF

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买RLZTE-116.8B
型号: RLZTE-116.8B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:电压调节玻璃封装型。 (LLDS)高可靠性。齐纳二极管
替代型号RLZTE-116.8B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RLZTE-116.8B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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BZT52C5V6

威世

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