RLZTE-1130B

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RLZTE-1130B概述

0.5W,30V齐纳稳压二极管

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min. | 27.7V \---|--- 平均Typ. | 最大max. | 29.13V 误差Tolerance | 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance | 55Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.2uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Voltage regulation Grass seald envelope. LLDS High reliability. Zener diode 描述与应用 | 电压调节 玻璃封装型。 (LLDS) 高可靠性。 齐纳


得捷:
DIODE ZENER 28.4V 500MW LLDS


Chip1Stop:
Diode Zener Single 28.415V 3% 500mW 2-Pin LLDS T/R


力源芯城:
0.5W,30V齐纳稳压二极管


Win Source:
DIODE ZENER 28.4V 500MW LLDS


RLZTE-1130B中文资料参数规格
技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

稳压值 28.4 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Mini-MELF

外形尺寸

封装 Mini-MELF

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RLZTE-1130B
型号: RLZTE-1130B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:0.5W,30V齐纳稳压二极管

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