RLZTE-1110B参数规格_中文资料_数据手册PDF

RLZTE-1110B概述

500MW齐纳二极管无铅 500MW Zener Leadless Diode

Voltage regulation Grass seald envelope. LLDS High reliability. Zener diode

得捷:
DIODE ZENER 9.7V 500MW LLDS

安富利:
Diode Zener Single 9.655V 3% 500mW 2-Pin LLDS T/R

Win Source:
500MW Zener Leadless Diode

RLZTE-1110B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

测试电流 20 mA

稳压值 9.7 V

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 Mini-MELF

外形尺寸

封装 Mini-MELF

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买RLZTE-1110B

型号： RLZTE-1110B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：500MW齐纳二极管无铅 500MW Zener Leadless Diode

替代型号RLZTE-1110B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RLZTE-1110B ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
RLZTE-115.6B 罗姆半导体	类似代替	RLZTE-1110B和RLZTE-115.6B的区别
RLZTE-115.1B 罗姆半导体	功能相似	RLZTE-1110B和RLZTE-115.1B的区别
BZT52C5V6 威世	功能相似	RLZTE-1110B和BZT52C5V6的区别