RLZTE-117.5B参数规格_中文资料_数据手册PDF

RLZTE-117.5B概述

0.5W,7.5V齐纳稳压二极管

Voltage regulation Grass seald envelope. LLDS High reliability. Zener diode

得捷:
DIODE ZENER 7.3V 500MW LLDS

力源芯城:
0.5W,7.5V齐纳稳压二极管

RLZTE-117.5B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

稳压值 7.3 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Mini-MELF

外形尺寸

封装 Mini-MELF

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RLZTE-117.5B

型号： RLZTE-117.5B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：0.5W,7.5V齐纳稳压二极管

替代型号RLZTE-117.5B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RLZTE-117.5B ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
RLZTE-115.6B 罗姆半导体	类似代替	RLZTE-117.5B和RLZTE-115.6B的区别
RLZTE-116.2B 罗姆半导体	类似代替	RLZTE-117.5B和RLZTE-116.2B的区别
RLZTE-115.1B 罗姆半导体	功能相似	RLZTE-117.5B和RLZTE-115.1B的区别