RLZTE-1139B参数规格_中文资料_数据手册PDF

RLZTE-1139B概述

LLDS 36.275V 0.5W1/2W

Voltage regulation Grass seald envelope. LLDS High reliability. Zener diode

得捷:
DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS

安富利:
Diode Zener Single 36.275V 3% 500mW 2-Pin LLDS T/R

Win Source:
DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS

RLZTE-1139B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 36.3 V

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 Mini-MELF

外形尺寸

封装 Mini-MELF

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RLZTE-1139B

型号： RLZTE-1139B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：LLDS 36.275V 0.5W1/2W

替代型号RLZTE-1139B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RLZTE-1139B ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
RLZTE-115.1B 罗姆半导体	功能相似	RLZTE-1139B和RLZTE-115.1B的区别
BZT52C5V6-TP 美微科	功能相似	RLZTE-1139B和BZT52C5V6-TP的区别
BZV55-C5V6 安世	功能相似	RLZTE-1139B和BZV55-C5V6的区别