RLZTE-1111B

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RLZTE-1111B概述

500mW的齐纳二极管无铅RLZ系列 500mW Zener Leadless Diode RlZ Series

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min. | 10.5V \---|--- 平均Typ. | 11V 最大max. | 11.5V 误差Tolerance | 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance | 10Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.2uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 0.5W/500mW Description & Applications | Voltage regulation Grass seald envelope. LLDS High reliability. Zener diode 描述与应用 | 电压调节 玻璃封装型。 (LLDS) 高可靠性。 齐纳


得捷:
DIODE ZENER 11V 500MW LLDS


贸泽:
稳压二极管 DIODE ZENER 10.775V 500MW


力源芯城:
0.5W,11V齐纳稳压二极管


Win Source:
DIODE ZENER 11V 500MW LLDS


RLZTE-1111B中文资料参数规格
技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

测试电流 10 mA

稳压值 11 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Mini-MELF

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.5 mm

封装 Mini-MELF

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RLZTE-1111B
型号: RLZTE-1111B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:500mW的齐纳二极管无铅RLZ系列 500mW Zener Leadless Diode RlZ Series
替代型号RLZTE-1111B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RLZTE-1111B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

BZV55-C5V6

安世

功能相似

RLZTE-1111B和BZV55-C5V6的区别

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