RLZTE-114.7A参数规格_中文资料_数据手册PDF

RLZTE-114.7A概述

电压调节玻璃封装型。（LLDS）高可靠性。齐纳二极管

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min. | 4.44V \---|--- 平均Typ. | 最大max. | 4.68V 误差Tolerance | 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance | 25Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 5uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Voltage regulation Grass seald envelope. LLDS High reliability. Zener diode 描述与应用 | 电压调节玻璃封装型。（LLDS）高可靠性。齐纳

得捷:
DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS

Win Source:
DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS

RLZTE-114.7A中文资料参数规格

技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

稳压值 4.7 V

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Mini-MELF

外形尺寸

封装 Mini-MELF

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RLZTE-114.7A

型号： RLZTE-114.7A

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：电压调节玻璃封装型。（LLDS）高可靠性。齐纳二极管

立即咨询

替代型号RLZTE-114.7A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RLZTE-114.7A ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
RLZTE-1112A 罗姆半导体	类似代替	RLZTE-114.7A和RLZTE-1112A的区别
RLZTE-115.1A 罗姆半导体	类似代替	RLZTE-114.7A和RLZTE-115.1A的区别
RLZTE-115.6A 罗姆半导体	类似代替	RLZTE-114.7A和RLZTE-115.6A的区别