RLZTE-118.2C

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RLZTE-118.2C概述

电压调节玻璃封装型。 (LLDS)高可靠性。齐纳二极管

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min. | 8.03V

\---|---

平均Typ. | 8.2V

最大max. | 8.45V

误差Tolerance |

最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance | 8Ω/ohm

最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.5uA

最大耗散功率PdPower dissipation | 500mW/0.5W

Description & Applications | Voltage regulation Grass seald envelope. LLDS High reliability. Zener diode

描述与应用 | 电压调节 玻璃封装型。 (LLDS) 高可靠性。 齐纳

RLZTE-118.2C中文资料参数规格
技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

稳压值 8 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Mini-MELF

外形尺寸

封装 Mini-MELF

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RLZTE-118.2C
型号: RLZTE-118.2C
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:电压调节玻璃封装型。 (LLDS)高可靠性。齐纳二极管
替代型号RLZTE-118.2C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RLZTE-118.2C

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