RN1302,LF参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN1302,LF概述

Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3Pin USM Embossed T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

RN1302,LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1302,LF引脚图与封装图

在线购买RN1302,LF

型号： RN1302,LF

制造商： Toshiba 东芝

描述：Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3Pin USM Embossed T/R

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替代型号RN1302,LF

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RN1302,LF Toshiba 东芝	当前型号	当前型号
RN1302SU,LFD 东芝	完全替代	RN1302,LF和RN1302SU,LFD的区别

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RN1302,LF和RN1302SU,LFD的区别