RN1310TE85L,F参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN1310TE85L,F概述

USM NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

RN1310TE85L,F中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 700

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

宽度 1.25 mm

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1310TE85L,F引脚图与封装图

在线购买RN1310TE85L,F

型号： RN1310TE85L,F

制造商： Toshiba 东芝

描述：USM NPN 50V 100mA