RN1130MFV,L3F参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN1130MFV,L3F概述

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3Pin VESM Embossed T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

艾睿:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

RN1130MFV,L3F中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN1130MFV,L3F

型号： RN1130MFV,L3F

描述：Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3Pin VESM Embossed T/R