RN1117T5L,F,T

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RN1117T5L,F,T概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM


RN1117T5L,F,T中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1117T5L,F,T引脚图与封装图
RN1117T5L,F,T引脚图
RN1117T5L,F,T封装图
RN1117T5L,F,T封装焊盘图
在线购买RN1117T5L,F,T
型号: RN1117T5L,F,T
制造商: Toshiba 东芝
描述:Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO

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