RN1110MFV,L3F参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN1110MFV,L3F概述

VESM NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

RN1110MFV,L3F中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723

外形尺寸

高度 0.5 mm

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1110MFV,L3F引脚图与封装图

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型号： RN1110MFV,L3F

描述：VESM NPN 50V 100mA