RN1104MFV,L3F

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RN1104MFV,L3F概述

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SOT-723

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150mW TRANSISTOR


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-723


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM


RN1104MFV,L3F中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

封装 SOT-723-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

RN1104MFV,L3F引脚图与封装图
RN1104MFV,L3F引脚图
RN1104MFV,L3F封装图
RN1104MFV,L3F封装焊盘图
在线购买RN1104MFV,L3F
型号: RN1104MFV,L3F
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SOT-723

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