RN1402S,LF

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RN1402S,LF概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7K

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 S-Mini


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI


RN1402S,LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN1402S,LF
型号: RN1402S,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7K
替代型号RN1402S,LF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RN1402S,LF

Toshiba 东芝

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东芝

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