RN2902FE,LFCT参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN2902FE,LFCT概述

双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount ES6

得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R

Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

RN2902FE,LFCT中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN2902FE,LFCT引脚图与封装图

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型号： RN2902FE,LFCT

制造商： Toshiba 东芝

描述：双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor