RN1906FE,LFCT参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN1906FE,LFCT概述

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W1/10W ES6

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 100mW 表面贴装型 ES6

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

艾睿:
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT process Bias Resistor Built-in Transistor

Verical:
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT process Bias Resistor Built-in Transistor

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

RN1906FE,LFCT中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1906FE,LFCT引脚图与封装图

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型号： RN1906FE,LFCT

制造商： Toshiba 东芝

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W1/10W ES6