RN4910,LF

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RN4910,LF概述

双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6


得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN


艾睿:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6


Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6


RN4910,LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN4910,LF引脚图与封装图
RN4910,LF引脚图
在线购买RN4910,LF
型号: RN4910,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN

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