RN1907,LFCT参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN1907,LFCT概述

双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

RN1907,LFCT中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RN1907,LFCT引脚图与封装图

在线购买RN1907,LFCT

型号： RN1907,LFCT

制造商： Toshiba 东芝

描述：双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor