RN2906,LF概述
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 6Pin US Embossed T/R
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 6-Pin US Embossed T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R
RN2906,LF中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
输出电压 3.3 V
输出电流 36 A
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
输入电压 18V ~ 75V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RN2906,LF引脚图与封装图 
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