RN1602TE85L,F参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN1602TE85L,F概述

SM NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

RN1602TE85L,F中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1602TE85L,F引脚图与封装图

在线购买RN1602TE85L,F

型号： RN1602TE85L,F

制造商： Toshiba 东芝

描述：SM NPN 50V 100mA