RN1906,LFCT

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RN1906,LFCT概述

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 6Pin US Embossed T/R

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装型 US6


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6


艾睿:
Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process Bias Resistor built-in Transistor


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin US Embossed T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6


RN1906,LFCT中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 US-6

外形尺寸

封装 US-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1906,LFCT引脚图与封装图
RN1906,LFCT引脚图
RN1906,LFCT封装图
RN1906,LFCT封装焊盘图
在线购买RN1906,LFCT
型号: RN1906,LFCT
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 6Pin US Embossed T/R
替代型号RN1906,LFCT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RN1906,LFCT

Toshiba 东芝

当前型号

当前型号

RN1906,LF

东芝

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RN1906,LFCT和RN1906,LF的区别

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