RN2911,LFCT

RN2911,LFCT图片1
RN2911,LFCT中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN2911,LFCT引脚图与封装图
RN2911,LFCT引脚图
RN2911,LFCT封装图
RN2911,LFCT封装焊盘图
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型号: RN2911,LFCT
制造商: Toshiba 东芝
描述:Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

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