RN4983,LFCT参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN4983,LFCT概述

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 6Pin US Embossed T/R

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz，200MHz 200mW 表面贴装型 US6

得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

艾睿:
Silicon NPN-PNP Epitaxial Type

安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 6-Pin US Embossed T/R

Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

RN4983,LFCT中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN4983,LFCT引脚图与封装图

在线购买RN4983,LFCT

型号： RN4983,LFCT

制造商： Toshiba 东芝

描述：Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 6Pin US Embossed T/R