RN1701JETE85L,F参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN1701JETE85L,F概述

ESV NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器） 50V 100mA 250MHz 100mW 表面贴装型 ESV

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin ESV T/R

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

RN1701JETE85L,F中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-553

外形尺寸

封装 SOT-553

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN1701JETE85L,F

型号： RN1701JETE85L,F

制造商： Toshiba 东芝

描述：ESV NPN 50V 100mA