RN2601TE85L,F参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN2601TE85L,F概述

SM PNP 50V 100mA

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 200MHz 300mW 表面贴装型 SM6

得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Chip1Stop:
TRANSISTOR DIGITAL BJT PNP 50V 100MA 6-PIN SM

RN2601TE85L,F中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SM-6

外形尺寸

封装 SM-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN2601TE85L,F引脚图与封装图

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型号： RN2601TE85L,F

制造商： Toshiba 东芝

描述：SM PNP 50V 100mA