RN1911FETE85LF

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RN1911FETE85LF概述

TRANS NPN 50V 100mA ES6

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 100mW 表面贴装型 ES6


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6


RN1911FETE85LF中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN1911FETE85LF
型号: RN1911FETE85LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:TRANS NPN 50V 100mA ES6

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