RN4986T5L,F,T参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN4986T5L,F,T概述

双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 47Kohms

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6

得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 47Kohms

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin US T/R

RN4986T5L,F,T中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 US-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 US-6

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN4986T5L,F,T引脚图与封装图

在线购买RN4986T5L,F,T

型号： RN4986T5L,F,T

制造商： Toshiba 东芝

描述：双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 47Kohms

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替代型号RN4986T5L,F,T

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