RN2905T5LFT

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RN2905T5LFT中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN2905T5LFT
型号: RN2905T5LFT
制造商: Toshiba 东芝
描述:Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2in-1 Ic -100mA -50V VCEO

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