RN1964TE85LF

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RN1964TE85LF概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2in-1 100mA 50V

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装型 US6


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6


RN1964TE85LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN1964TE85LF
型号: RN1964TE85LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2in-1 100mA 50V

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