RN2505TE85LF

RN2505TE85LF图片1
RN2505TE85LF概述

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5Pin SMV T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual Emitter Coupled 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV


得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO


Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV


RN2505TE85LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-25-5

外形尺寸

封装 SOT-25-5

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN2505TE85LF
型号: RN2505TE85LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5Pin SMV T/R

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