RN1509TE85L,F

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RN1509TE85L,F概述

SMV NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual Emitter Coupled 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin SMV T/R


RN1509TE85L,F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-753

外形尺寸

封装 SOT-753

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN1509TE85L,F
型号: RN1509TE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:SMV NPN 50V 100mA
替代型号RN1509TE85L,F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RN1509TE85L,F

Toshiba 东芝

当前型号

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