RN4604TE85L,F

RN4604TE85L,F图片1
RN4604TE85L,F概述

SM NPN+PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6


得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SM T/R


Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6


RN4604TE85L,F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN4604TE85L,F引脚图与封装图
RN4604TE85L,F引脚图
在线购买RN4604TE85L,F
型号: RN4604TE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:SM NPN+PNP 50V 100mA

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