RN1606TE85L,F

RN1606TE85L,F图片1
RN1606TE85L,F概述

双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6


RN1606TE85L,F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1606TE85L,F引脚图与封装图
RN1606TE85L,F引脚图
在线购买RN1606TE85L,F
型号: RN1606TE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A

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