RN4610TE85L,F参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN4610TE85L,F概述

SM NPN+PNP 50V 0.1A

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6

得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.1A 6-Pin SM T/R

Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

RN4610TE85L,F中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN4610TE85L,F引脚图与封装图

在线购买RN4610TE85L,F

型号： RN4610TE85L,F

制造商： Toshiba 东芝

描述：SM NPN+PNP 50V 0.1A