RN2707JETE85L,F参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN2707JETE85L,F概述

ESV PNP 50V 100mA

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装型 ESV

得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

RN2707JETE85L,F中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-553

外形尺寸

封装 SOT-553

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN2707JETE85L,F引脚图与封装图

在线购买RN2707JETE85L,F

型号： RN2707JETE85L,F

制造商： Toshiba 东芝

描述：ESV PNP 50V 100mA

替代型号RN2707JETE85L,F

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RN2707JETE85L,F Toshiba 东芝	当前型号	当前型号
EMA8T2R 罗姆半导体	功能相似	RN2707JETE85L,F和EMA8T2R的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

RN2707JETE85L,F

Toshiba 东芝

当前型号

EMA8T2R

罗姆半导体

功能相似