RN1902T5LFT

RN1902T5LFT图片1
RN1902T5LFT概述

TRANSISTOR NPN US6

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装型 US6


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6


RN1902T5LFT中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 US-6

外形尺寸

封装 US-6

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN1902T5LFT
型号: RN1902T5LFT
制造商: Toshiba 东芝
描述:TRANSISTOR NPN US6

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台