RN1906T5L,F,T参数规格_中文资料_数据手册PDF

RN1906T5L,F,T概述

US NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin US T/R

AMEYA360:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

RN1906T5L,F,T中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 US-6

外形尺寸

封装 US-6

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1906T5L,F,T引脚图与封装图

在线购买RN1906T5L,F,T

型号： RN1906T5L,F,T

制造商： Toshiba 东芝

描述：US NPN 50V 100mA