RN1967FETE85L,F

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RN1967FETE85L,F概述

ES NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 100mW 表面贴装型 ES6


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6


RN1967FETE85L,F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN1967FETE85L,F
型号: RN1967FETE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:ES NPN 50V 100mA

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