RN2968FETE85L,F

RN2968FETE85L,F图片1
RN2968FETE85L,F概述

ES PNP 50V 100mA

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装型 ES6


得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R


Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6


RN2968FETE85L,F中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN2968FETE85L,F
型号: RN2968FETE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:ES PNP 50V 100mA

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