P 沟道 150 mW 20 V 1.2 Ohm 1.2V 驱动 P 沟道 Mosfet 表面贴装 - VMT-3
P 通道 MOSFET ，ROHM
### MOSFET 晶体管，
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MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
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P沟道 20V 200mA
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ROHM RZM002P02 系列 P沟道 MOSFET RZM002P02T2L, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-723封装
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MOSFET TRANS MOSFET P-CH 20V 0.2A TR
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**P-CHAN.MOSFET+ESD 20V 0,2A VMT3 **
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MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
针脚数 3
漏源极电阻 0.8 Ω
耗散功率 150 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 115pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
长度 1.3 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.45 mm
封装 SOT-723-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RZM002P02T2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RTM002P02T2L 罗姆半导体 | 类似代替 | RZM002P02T2L和RTM002P02T2L的区别 |
RZM002P02 罗姆半导体 | 功能相似 | RZM002P02T2L和RZM002P02的区别 |