RSU002N06T106

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RSU002N06T106概述

UMT N-CH 60V 0.25A

N-Channel 60V 250mA Ta 200mW Ta Surface Mount UMT3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin UMT T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 0.25A UMT3


RSU002N06T106中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 200mW Ta

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.25A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 15pF @25VVds

额定功率Max 200 mW

下降时间 28 ns

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RSU002N06T106引脚图与封装图
RSU002N06T106引脚图
RSU002N06T106封装图
RSU002N06T106封装焊盘图
在线购买RSU002N06T106
型号: RSU002N06T106
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:UMT N-CH 60V 0.25A
替代型号RSU002N06T106
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSU002N06T106

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RSM002N06T2L

罗姆半导体

功能相似

RSU002N06T106和RSM002N06T2L的区别

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