RUM002N02T2L概述
RUM002N02 系列 20 V 1.2 Ohm 200 mA 表面贴装 N沟道 MOSFET - VMT-3
N 通道 MOSFET ，ROHM
得捷:
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
欧时:
ROHM RUM002N02 系列 N沟道 MOSFET RUM002N02T2L, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-723封装
立创商城:
N沟道 20V 200mA
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
儒卓力:
**N-CHAN.MOSFET+ESD 20V 0,2A VMT3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
RUM002N02T2L中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723
外形尺寸
长度 1.3 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.45 mm
封装 SOT-723
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
RUM002N02T2L引脚图与封装图 
在线购买RUM002N02T2L
型号： RUM002N02T2L
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：RUM002N02 系列 20 V 1.2 Ohm 200 mA 表面贴装 N沟道 MOSFET - VMT-3