N-沟道 200 mW 60 V 3.1 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - UMT-3
表面贴装型 N 通道 60 V 200mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3
得捷:
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
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N沟道 60V 200mA
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MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin UMT T/R
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**N-CH SMD MOSFET 60V 0,2A UMT3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
额定电压DC 60.0 V
额定电流 200 mA
漏源极电阻 2.20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 18pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 7 ns
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RJU002N06T106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RHU002N06T106 罗姆半导体 | 功能相似 | RJU002N06T106和RHU002N06T106的区别 |
QN7002-T1B-AT 日本电气 | 功能相似 | RJU002N06T106和QN7002-T1B-AT的区别 |